“芯片缺货”近期再度被业界所关注，IGBT产业链供需持续偏紧，带动今年IGBT龙头斯达半导本月大涨超过20%。事实上，自今年2月份上市以来，斯达半导相比发行价上涨了逾20倍。

对于普通投资者来说，IGBT这个术语或许比较陌生。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型晶体管，是国际上公认的电力电子技术第三次革命具有代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，也被称为电力电子行业CPU。IGBT被广泛运用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。

斯达半导自2005年成立以来，一直致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺及IGBT模块的设计、制造和测试，2019年年报显示，IGBT模块的销售收入占公司销售收入总额的95%以上，是公司的主要产品。根据IHSMarkit 2018年报告数据显示，在2017年度IGBT模块供应商全球市场份额排名中，斯达排名第10位，在中国企业中排名第1位，成为世界排名前十中唯一一家中国企业。

机构认为，IGBT未来在新能源汽车、工业控制和家电等领域将保持较高增长，全球IGBT市场基本被欧洲与日本企业占据，国内IGBT市场供需缺口巨大，斯达半导作为国内稀缺的IGBT供应商，未来将受益于国产替代和IGBT产业链持续景气。

切入第三代半导体赛道，重点布局新能源汽车领域

12月17日，斯达半导发布公告拟投资2.3亿元建设SiC功率模块产业化项目，公司预计投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，项目建设期2年，将按照市场需求逐步投入。

在项目可行性分析中，斯达半导表示，较传统的燃油汽车相比，新能源汽车半导体元器件功率更大，性能要求更高，用量几倍于传统燃油汽车。碳化硅功率模组作为第三代半导体功率器件，具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和漂移速率高、热导率高等优点。其高温、高效和高频特性是实现新能源汽车电机控制器功率密度和效率提升的关键要素。可以预见汽车级碳化硅功率模组的市场需求将在新能源汽车市场带动下的实现快速增长，市场空间巨大。

中金公司认为，公司此次布局SiC功率模块，一方面是公司6月和宇通客车达成合作，宇通将采用斯达和GREE合作研发的1200V SiC功率模块开发电动客车电动系统；另一方面，SiC作为第三代半导体材料，具备体积小、损耗低、耐高温等特性，虽然目前价格是IGBT模块的3-4倍，但公司布局SiC模块有望为远期收入打开成长空间。

斯达半导看好新能源汽车产业为其带来的成长性。可行性分析报告提到：2020年11月国务院印发《新能源汽车产业发展规划（2021—2035年）》中明确提出，2025年，我国新能源汽车新车销量占比达到25%左右，并要求2021年起国家生态文明试验区、大气污染防治重点区域新增或更新公交、出租、物流配送等公共领域车辆，新能源汽车比例不低于80%。按此测算，2025年我国新能源汽车销售将超过640万辆，2021-2025年我国新能源汽车年均增长率将在30%以上。

斯达半导认为，该项目实施后，将进一步提高公司在汽车级全碳化硅功率模组的技术水平，提高供货能力，为公司进一步开拓新能源汽车市场，提高市场占有率打下坚实基础。新能源汽车市场作为公司重点开拓的战略市场，加大对汽车级全碳化硅规模组的研发及产业化，符合公司战略发展方向。

国产替代空间广阔，公司具有先发优势

分析人士认为，近期“芯片缺货”的状况再度提醒了国产替代的紧迫性。中金公司的产业链调研显示，目前全球IGBT产品交付期普遍拉长，IGBT产业链供需持续偏紧，未来若产能持续紧张，部分IGBT料号价格或将上调。

我国坐拥全球最大的汽车市场，国家大力推动新能源汽车的发展，但IGBT领域基本由海外厂商所主导，国产替代空间广阔。中泰证券的研究显示，从 IGBT厂商的产品线来看，英飞凌、富士电机、IXYS 等国际厂商覆盖了IGBT 产品全部电压范围，而瑞萨、罗姆、意法半导体等厂商则集中在中低压产品，三菱、中国中车以及斯达半导体等厂商仅提供 IGBT 模块产品。

根据 IHSMarkit的数据，2017 年全球前五大 IGBT 厂商市场份额合计超过 70%，而在国内 IGBT市场，海外厂商同样占据 50%以上的市场份额，国产替代空间十分广阔。

业内人士认为，在国产化替代大趋势下，斯达半导的人才竞争优势明显，其核心创始人具有深厚的技术积淀和前瞻的国际视野。斯达半导的董事长兼创始人沈华（1963 年），于 1995 年获得美国麻省理工学院（MIT）材料学博士学位，1995 年 7 月至 1999 年 7 月任西门子半导体部门（英飞凌前身，1999 年成为英飞凌公司）高级研发工程师，1999 年 8 月至 2005 年任赛灵思公司高级项目经理。 

斯达半导的副总经理汤艺女士1973 年出生， 2003 年博士毕业于美国仁斯利尔理工学院（RPI）电子工程系， 2003 年 7 月至 2015 年 3 月在美国国际整流器公司（ International Rectifier）工作，历任集成半导体器件高级工程师、主管工程师、高级主管工程师、 IGBT 器件设计经理、 IGBT 器件设计高级经理。2015年加入斯达半导，现任公司副总经理，负责 IGBT 芯片技术研发工作。

斯达半导的两位主要负责人都与当前IGBT的行业老大英飞凌有着交集。2015年英飞凌收购了国际整流器公司，2017年英飞凌占据整个IGBT行业22.4%的市场份额。

中泰证券表示，强大研发能力支撑下，公司自研和外购芯片比例不断改善。2016-2019上半年之间，自主设计研发的芯片占当前芯片采购比例分别为 31.0%、35.7%、49.0%和 54.1%。同时，从价格方面看，公司自研芯片平均单价在不断上升，外购芯片单价不断下降，侧面印证公司较强研发能力。 

技术上看，公司于 2012 年和 2015 年成功独立地研发出 NPT 型芯片和FS-Trench 芯片，分别对接国际上第四、第六代芯片技术；目前，公司正在进行第三代 IGBT 芯片的研发，对接英飞凌、三菱等国际龙头公司的第七代技术水平。

中金公司表示，新能源汽车IGBT从研发到通过验证再到实现终端客户导入需要5年左右时间，所以斯达等已经具备车用IGBT模块供应能力与客户基础的龙头企业将具备较强的先发优势与稀缺性，而公司在IGBT芯片、封装以及SiC等技术上的投入与突破也有望帮助公司进一步打开销售局面，看好未来公司有望从现有的A/A0客户向更加高端的B/C级/商用车突破，在提升配套车辆份额的同时提升单车价值量水平。